ข้ามไปเนื้อหา

ซิลิคอนคาร์ไบด์

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
ซิลิคอนคาร์ไบด์
Sample of silicon carbide as a boule
ชื่อ
Preferred IUPAC name
Silicon carbide
ชื่ออื่น
Carborundum
Moissanite
เลขทะเบียน
3D model (JSmol)
ChEBI
เคมสไปเดอร์
ECHA InfoCard 100.006.357 แก้ไขสิ่งนี้ที่วิกิสนเทศ
EC Number
  • 206-991-8
13642
MeSH Silicon+carbide
RTECS number
  • VW0450000
  • InChI=1S/CSi/c1-2 checkY
    Key: HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N checkY
  • Key: HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYAF
  • InChI=1/CSi/c1-2
  • [C-]#[Si+]
คุณสมบัติ
CSi
มวลโมเลกุล 40.096 g·mol−1
ลักษณะทางกายภาพ ผลึกสีเหลือง เขียวถึงดำน้ำเงิน[1]
ความหนาแน่น 3.16 g·cm−3 (hex.)[2]
จุดหลอมเหลว 2,830 องศาเซลเซียส (5,130 องศาฟาเรนไฮต์; 3,100 เคลวิน) (decomposes)
−12.8·10−6 cm3/mol[3]
2.55 (infrared; all polytypes)[4]
ความอันตราย
NFPA 704 (fire diamond)
NFPA 704 four-colored diamondHealth 1: Exposure would cause irritation but only minor residual injury. E.g. turpentineFlammability 0: Will not burn. E.g. waterInstability 0: Normally stable, even under fire exposure conditions, and is not reactive with water. E.g. liquid nitrogenSpecial hazards (white): no code
1
0
0
NIOSH (US health exposure limits):
PEL (Permissible)
TWA 15 mg/m3 (total) TWA 5 mg/m3 (resp)[1]
REL (Recommended)
TWA 10 mg/m3 (total) TWA 5 mg/m3 (resp)[1]
IDLH (Immediate danger)
N.D.[1]
หากมิได้ระบุเป็นอื่น ข้อมูลข้างต้นนี้คือข้อมูลสาร ณ ภาวะมาตรฐานที่ 25 °C, 100 kPa

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (อังกฤษ: silicon carbide) หรือ คาร์บอรันดัม (carborundum) เป็นสารประกอบที่มีสูตรเคมีคือ SiC ในรูปบริสุทธิ์ไม่มีสี แต่มีสีเขียวถึงดำจากการปนเปื้อนธาตุเหล็ก[5] ซิลิคอนคาร์ไบด์มีรูปแบบผลึกกว่า 250 แบบ[6] แต่พบมากที่สุดในรูปแอลฟา (α-SiC) ซึ่งมีโครงสร้างผลึกแบบหกเหลี่ยม ก่อตัวที่อุณหภูมิสูงกว่า 1700 °C และรูปบีตา (β-SiC) ซึ่งเป็นโครงสร้างแบบซิงก์เบลนด์ ก่อตัวที่อุณหภูมิต่ำกว่า 1700 °C[7][8] ในธรรมชาติพบในแร่มอยซาไนต์ แต่สามารถสังเคราะห์ได้จากกระบวนการอะคีสัน

ซิลิคอนคาร์ไบด์มีคุณสมบัตินำความร้อนและทนอุณหภูมิสูง มีความแข็งตามมาตราโมสที่ 9–9.5 จึงนิยมใช้เป็นสารกึ่งตัวนำ, วัสดุขัดถู, วัสดุทนความร้อนสูงและการกระแทก

อ้างอิง

[แก้]
  1. 1.0 1.1 1.2 1.3 "Silicon carbide - NIOSH Pocket Guide to Chemical Hazards". Centers for Disease Control and Prevention. สืบค้นเมื่อ May 1, 2018.
  2. Haynes, William M., บ.ก. (2014–2015). CRC Handbook of Chemistry and Physics (PDF) (95th ed.). CRC Press. p. 4-88. ISBN 978-1-4822-0868-9.
  3. Haynes, William M., บ.ก. (2014–2015). CRC Handbook of Chemistry and Physics (PDF) (95th ed.). CRC Press. p. 4-135. ISBN 978-1-4822-0868-9.
  4. "Properties of Silicon Carbide (SiC)". Ioffe Institute. สืบค้นเมื่อ 2009-06-06.
  5. "Silicon carbide - MSDS" (PDF). Burwell Technologies. คลังข้อมูลเก่าเก็บจากแหล่งเดิม (PDF)เมื่อ 2018-04-02. สืบค้นเมื่อ May 1, 2018.
  6. Cheung, Rebecca (2006). Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. Imperial College Press. p. 3. ISBN 1-86094-624-0.
  7. "Silicon carbide" (PDF). IARC Monographs. สืบค้นเมื่อ May 1, 2018.
  8. Chyad, Fadhil A.; Agoal, Ibrahim R.; Mutter, Mahdi M. (2012). "Effect of Addition SiC Particles on the Hardness and Dry Sliding Wear of the Copper-Graphite Composite". The Iraqi Journal For Mechanical And Material Engineering. 12 (2): 298–304. เก็บจากแหล่งเดิมเมื่อ 2021-09-29. สืบค้นเมื่อ May 1, 2018.

แหล่งข้อมูลอื่น

[แก้]