ซิลิคอนคาร์ไบด์
| ซิลิคอนคาร์ไบด์ | |
|---|---|
| |
Silicon carbide | |
| ชื่ออื่น | Carborundum Moissanite |
| เลขทะเบียน | |
| เลขทะเบียน CAS | [409-21-2][CAS] |
| PubChem | |
| EC number | |
| MeSH | |
| ChEBI | |
| RTECS number | VW0450000 |
| SMILES | |
| Gmelin Reference | 13642 |
| ChemSpider ID | |
| คุณสมบัติ | |
| สูตรโมเลกุล | CSi |
| มวลโมเลกุล | 40.1 g mol−1 |
| ลักษณะทางกายภาพ | ผลึกสีเหลือง เขียวถึงดำน้ำเงิน[1] |
| ความหนาแน่น | 3.16 g·cm−3 (hex.)[2] |
| จุดหลอมเหลว |
2830 °C, 3103 K, 5126 °F |
| −12.8·10−6 cm3/mol[4] | |
| ดัชนีหักเหแสง (nD) | 2.55 (infrared; all polytypes)[3] |
| ความอันตราย | |
| การจำแนกของ EU | Not listed |
| NFPA 704 |
 0
1
0
|
| U.S. Permissible exposure limit (PEL) |
TWA 15 mg/m3 (total) TWA 5 mg/m3 (resp)[1] |
| หากมิได้ระบุเป็นอื่น ข้อมูลข้างต้นนี้คือข้อมูลสาร ณ ภาวะมาตรฐานที่ 25 °C, 100 kPa | |
| สถานีย่อย:เคมี | |
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (อังกฤษ: silicon carbide) หรือ คาร์บอรันดัม (carborundum) เป็นสารประกอบที่มีสูตรเคมีคือ SiC ในรูปบริสุทธิ์ไม่มีสี แต่มีสีเขียวถึงดำจากการปนเปื้อนธาตุเหล็ก[5] ซิลิคอนคาร์ไบด์มีรูปแบบผลึกกว่า 250 แบบ[6] แต่พบมากที่สุดในรูปแอลฟา (α-SiC) ซึ่งมีโครงสร้างผลึกแบบหกเหลี่ยม ก่อตัวที่อุณหภูมิสูงกว่า 1700 °C และรูปบีตา (β-SiC) ซึ่งเป็นโครงสร้างแบบซิงก์เบลนด์ ก่อตัวที่อุณหภูมิต่ำกว่า 1700 °C[7][8] ในธรรมชาติพบในแร่มอยซาไนต์ แต่สามารถสังเคราะห์ได้จากกระบวนการอะคีสัน
ซิลิคอนคาร์ไบด์มีคุณสมบัตินำความร้อนและทนอุณหภูมิสูง มีความแข็งตามมาตราโมสที่ 9–9.5 จึงนิยมใช้เป็นสารกึ่งตัวนำ, วัสดุขัดถู, วัสดุทนความร้อนสูงและการกระแทก
อ้างอิง[แก้]
- ↑ 1.0 1.1 "Silicon carbide - NIOSH Pocket Guide to Chemical Hazards". Centers for Disease Control and Prevention. สืบค้นเมื่อ May 1, 2018.
- ↑ Haynes, William M., บ.ก. (2014–2015). CRC Handbook of Chemistry and Physics (PDF) (95th ed.). CRC Press. p. 4-88. ISBN 978-1-4822-0868-9.
- ↑ "Properties of Silicon Carbide (SiC)". Ioffe Institute. สืบค้นเมื่อ 2009-06-06.
- ↑ Haynes, William M., บ.ก. (2014–2015). CRC Handbook of Chemistry and Physics (PDF) (95th ed.). CRC Press. p. 4-135. ISBN 978-1-4822-0868-9.
- ↑ "Silicon carbide - MSDS" (PDF). Burwell Technologies. คลังข้อมูลเก่าเก็บจากแหล่งเดิม (PDF)เมื่อ 2018-04-02. สืบค้นเมื่อ May 1, 2018.
- ↑ Cheung, Rebecca (2006). Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. Imperial College Press. p. 3. ISBN 1-86094-624-0.
- ↑ "Silicon carbide" (PDF). IARC Monographs. สืบค้นเมื่อ May 1, 2018.
- ↑ Chyad, Fadhil A.; Agoal, Ibrahim R.; Mutter, Mahdi M. (2012). "Effect of Addition SiC Particles on the Hardness and Dry Sliding Wear of the Copper-Graphite Composite". The Iraqi Journal For Mechanical And Material Engineering. 12 (2): 298–304. เก็บจากแหล่งเดิมเมื่อ 2021-09-29. สืบค้นเมื่อ May 1, 2018.
แหล่งข้อมูลอื่น[แก้]
วิกิมีเดียคอมมอนส์มีสื่อเกี่ยวกับ ซิลิคอนคาร์ไบด์- "Silicon Carbide - MSDS". ScienceLab. คลังข้อมูลเก่าเก็บจากแหล่งเดิมเมื่อ 2018-06-29. สืบค้นเมื่อ 2018-05-01.
วิกิมีเดียคอมมอนส์มีสื่อเกี่ยวกับ
 |
บทความเกี่ยวกับเคมีนี้ยังเป็นโครง คุณสามารถช่วยวิกิพีเดียได้โดยการเพิ่มเติมข้อมูล ดูเพิ่มที่ สถานีย่อย:เคมี |