หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบจำข้อมูลถาวร

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
Jump to navigation Jump to search

หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบจำข้อมูลถาวร (อังกฤษ: Non-volatile random-access memory, NVRAM) หรือ แรมจำข้อมูลถาวร คือ หน่วยความจำเข้าถึงข้อมูลโดยสุ่มที่ยังสามารถเก็บข้อมูลอยู่แม้จะไม่มีไฟฟ้าหล่อเลี้ยง (หรือ หน่วยความจำถาวร) โดยทั่วไปเรามักจะคุ้นกับคำว่า แรม หรือ ดีแรม (DRAM) ที่ใช้เป็นหน่วยความจำหลักในเครื่องคอมพิวเตอร์ แต่แรมเหล่านี้จะลืมข้อมูลเมื่อไฟฟ้าดับ

แรมจำข้อมูลถาวรที่เรารู้จักกันดีที่สุดในปัจจุบันก็คือ หน่วยความจำแบบแฟลช ซึ่งนำไปสร้างเป็นสิ่งต่างๆ เช่น แฟลชไดรฟ์, โซลิดสเตตไดรฟ์ (ซึ่งสามรถประดิษฐ์จากดีแรมได้) ถึงแม้หน่วยความจำแบบแฟลชจะมีประสิทธิภาพดีกว่าจานบันทึกแบบแข็งมาก แต่ก็ยังถือว่าห่างไกลกับแรมที่ใช้เป็นหน่วยความจำหลักของเครื่องคอมพิวเตอร์ปัจจุบันมากนัก และหน่วยความจำแบบแฟลชที่สามารถหาซื้อได้ตามท้องตลาดในปัจจุบันจะมีข้อจำกัดทางด้านจำนวนครั้งในการเขียนทับ (ซึ่งปกติแล้วไม่เกิน 100,000 ครั้งการเขียนทับก็จะเสื่อมสภาพ) เปรียบเทียบกับแรมจำข้อมูลชั่วคราวที่หาได้ทั่วไปตามท้องตลาดที่สามารถเขียนทับแทบจะเรียกได้ว่าไม่จำกัดจำนวนครั้ง ดังนั้นความพยายามในปัจจุบันคือการพัฒนาแรมจำข้อมูลถาวรให้มีประสิทธิภาพดี และทนทานเทียบเท่ากับแรมแบบจำข้อมูลชั่วคราวให้ได้

แรมจำข้อมูลถาวรยุคใหม่[แก้]