ผลต่างระหว่างรุ่นของ "กล้องจุลทรรศน์แบบส่องกราดในอุโมงค์"

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
เนื้อหาที่ลบ เนื้อหาที่เพิ่ม
Nullzerobot (คุย | ส่วนร่วม)
r2.7.3) (โรบอต เพิ่ม: ar, bg, bs, ca, cs, da, de, eo, es, fa, fi, fr, he, hi, id, it, ja, nl, no, pl, pt, ru, simple, sl, sr, sv, ta, uk, vi, zh
Nullzerobot (คุย | ส่วนร่วม)
เก็บกวาด
บรรทัด 1: บรรทัด 1:
[[File:Atomic resolution Au100.JPG‎|thumb|Image of reconstruction on a clean [[Gold]][[Miller index|(100)]] surface]]
[[ไฟล์:Atomic resolution Au100.JPG‎|thumb|Image of reconstruction on a clean [[Gold]][[Miller index|(100)]] surface]]
[[File:Chiraltube.gif|thumb|An STM image of single-walled [[carbon nanotube]]]]
[[ไฟล์:Chiraltube.gif|thumb|An STM image of single-walled [[carbon nanotube]]]]


'''กล้องจุลทรรศน์แบบส่องกราดในอุโมงค์''' ({{lang-en|scanning tunneling microscope}}; STM) คือเครื่องมือสำหรับการจับภาพพื้นผิวในระดับของอะตอม คิดค้นขึ้นโดย [[Gerd Binnig]] และ [[Heinrich Rohrer]] (จาก[[ไอบีเอ็ม]] ซูริก) ในปี ค.ศ. 1981 และทำให้ทั้งสองได้รับ[[รางวัลโนเบลสาขาฟิสิกส์]]ในปี ค.ศ. 1986<ref name="Binnig">{{Cite journal|author=G. Binnig, H. Rohrer|title=Scanning tunneling microscopy|journal=IBM Journal of Research and Development|volume=30|page=4|year=1986}}</ref><ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1986/press.html Press release for the 1986 Nobel Prize in physics]</ref> สำหรับ STM เครื่องหนึ่ง ค่าความละเอียดที่ดีควรอยู่ที่ 0.1 [[นาโนเมตร]]ในแนวขวาง และ 0.01 นาโนเมตรในแนวลึก<ref name="Bai">{{Cite book|author=C. Bai|title=Scanning tunneling microscopy and its applications|publisher=Springer Verlag|place=New York|year=2000|url=http://books.google.com/?id=3Q08jRmmtrkC&pg=PA345|isbn=3540657150}}</ref> ด้วยค่าความละเอียดขนาดนี้ อะตอมแต่ละหน่วยในสสารจะมีการหมุนเวียนและจับภาพไว้ได้ เราสามารถใช้ STM ได้ไม่เพียงในที่สุญญากาศยิ่งยวด แต่ยังใช้ได้ในอากาศ ในน้ำ และของเหลวอื่นๆ หรือในก๊าซ และที่ระดับอุณหภูมิแตกต่างกันได้ตั้งแต่เกือบ[[ศูนย์องศาสัมบูรณ์|ศูนย์เคลวิน]]ไปจนถึงหลายร้อยองศาเซลเซียส<ref name="Chen">{{Cite book|author=C. Julian Chen|title=Introduction to Scanning Tunneling Microscopy|year=1993|url=http://www.columbia.edu/~jcc2161/documents/STM_2ed.pdf|isbn=0195071506|publisher=Oxford University Press}}</ref>
'''กล้องจุลทรรศน์แบบส่องกราดในอุโมงค์''' ({{lang-en|scanning tunneling microscope}}; STM) คือเครื่องมือสำหรับการจับภาพพื้นผิวในระดับของอะตอม คิดค้นขึ้นโดย [[Gerd Binnig]] และ [[Heinrich Rohrer]] (จาก[[ไอบีเอ็ม]] ซูริก) ในปี ค.ศ. 1981 และทำให้ทั้งสองได้รับ[[รางวัลโนเบลสาขาฟิสิกส์]]ในปี ค.ศ. 1986<ref name="Binnig">{{Cite journal|author=G. Binnig, H. Rohrer|title=Scanning tunneling microscopy|journal=IBM Journal of Research and Development|volume=30|page=4|year=1986}}</ref><ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1986/press.html Press release for the 1986 Nobel Prize in physics]</ref> สำหรับ STM เครื่องหนึ่ง ค่าความละเอียดที่ดีควรอยู่ที่ 0.1 [[นาโนเมตร]]ในแนวขวาง และ 0.01 นาโนเมตรในแนวลึก<ref name="Bai">{{Cite book|author=C. Bai|title=Scanning tunneling microscopy and its applications|publisher=Springer Verlag|place=New York|year=2000|url=http://books.google.com/?id=3Q08jRmmtrkC&pg=PA345|isbn=3540657150}}</ref> ด้วยค่าความละเอียดขนาดนี้ อะตอมแต่ละหน่วยในสสารจะมีการหมุนเวียนและจับภาพไว้ได้ เราสามารถใช้ STM ได้ไม่เพียงในที่สุญญากาศยิ่งยวด แต่ยังใช้ได้ในอากาศ ในน้ำ และของเหลวอื่นๆ หรือในก๊าซ และที่ระดับอุณหภูมิแตกต่างกันได้ตั้งแต่เกือบ[[ศูนย์องศาสัมบูรณ์|ศูนย์เคลวิน]]ไปจนถึงหลายร้อยองศาเซลเซียส<ref name="Chen">{{Cite book|author=C. Julian Chen|title=Introduction to Scanning Tunneling Microscopy|year=1993|url=http://www.columbia.edu/~jcc2161/documents/STM_2ed.pdf|isbn=0195071506|publisher=Oxford University Press}}</ref>
บรรทัด 9: บรรทัด 9:
{{รายการอ้างอิง}}
{{รายการอ้างอิง}}


==หนังสืออ่านเพิ่มเติม==
== หนังสืออ่านเพิ่มเติม ==
*Tersoff, J.: Hamann, D. R.: Theory of the scanning tunneling microscope, [http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.31.805 Physical Review B 31, 1985, p. 805 - 813].
*Tersoff, J.: Hamann, D. R.: Theory of the scanning tunneling microscope, [http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.31.805 Physical Review B 31, 1985, p. 805 - 813].
*Bardeen, J.: Tunnelling from a many-particle point of view, [http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.6.57 Physical Review Letters 6 (2), 1961, p. 57-59].
*Bardeen, J.: Tunnelling from a many-particle point of view, [http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.6.57 Physical Review Letters 6 (2), 1961, p. 57-59].
บรรทัด 21: บรรทัด 21:
*''Theory of STM and Related Scanning Probe Methods.'' Springer Series in Surface Sciences, Band 3. Springer, Berlin 1998
*''Theory of STM and Related Scanning Probe Methods.'' Springer Series in Surface Sciences, Band 3. Springer, Berlin 1998


==แหล่งข้อมูลอื่น==
== แหล่งข้อมูลอื่น ==
{{คอมมอนส์-หมวดหมู่|Scanning tunneling microscope}}
{{คอมมอนส์-หมวดหมู่|Scanning tunneling microscope}}
*[http://www.fz-juelich.de/ibn/microscope_e A microscope is filming a microscope] (Mpeg, AVI movies)
*[http://www.fz-juelich.de/ibn/microscope_e A microscope is filming a microscope] (Mpeg, AVI movies)

รุ่นแก้ไขเมื่อ 01:51, 30 มกราคม 2556

Image of reconstruction on a clean Gold(100) surface
An STM image of single-walled carbon nanotube

กล้องจุลทรรศน์แบบส่องกราดในอุโมงค์ (อังกฤษ: scanning tunneling microscope; STM) คือเครื่องมือสำหรับการจับภาพพื้นผิวในระดับของอะตอม คิดค้นขึ้นโดย Gerd Binnig และ Heinrich Rohrer (จากไอบีเอ็ม ซูริก) ในปี ค.ศ. 1981 และทำให้ทั้งสองได้รับรางวัลโนเบลสาขาฟิสิกส์ในปี ค.ศ. 1986[1][2] สำหรับ STM เครื่องหนึ่ง ค่าความละเอียดที่ดีควรอยู่ที่ 0.1 นาโนเมตรในแนวขวาง และ 0.01 นาโนเมตรในแนวลึก[3] ด้วยค่าความละเอียดขนาดนี้ อะตอมแต่ละหน่วยในสสารจะมีการหมุนเวียนและจับภาพไว้ได้ เราสามารถใช้ STM ได้ไม่เพียงในที่สุญญากาศยิ่งยวด แต่ยังใช้ได้ในอากาศ ในน้ำ และของเหลวอื่นๆ หรือในก๊าซ และที่ระดับอุณหภูมิแตกต่างกันได้ตั้งแต่เกือบศูนย์เคลวินไปจนถึงหลายร้อยองศาเซลเซียส[4]

เครื่อง STM มีพื้นฐานบนหลักการของอุโมงค์ควอนตัม (quantum tunnelling) เมื่อนำปลายตัวนำไปใกล้กับพื้นผิวที่ต้องการตรวจสอบ จะเกิดไบแอส (โวลท์ที่ต่างกัน) ระหว่างพื้นผิวทั้งสองและทำให้อิเล็กตรอนสามารถลอดผ่านสุญญากาศระหว่างทั้งสองได้ "กระแสในอุโมงค์" ที่เกิดขึ้นคือฟังก์ชันระหว่างตำแหน่งของปลายตัวนำ โวลท์ที่ใช้ และความหนาแน่นภายในของสถานะ (local density of states; LDOS) ของสารตัวอย่างนั้น[4] การเก็บข้อมูลทำโดยการจับค่ากระแสขณะที่ปลายตัวนำเคลื่อนที่กราดไปทั่วพื้นผิว และมักแสดงผลในรูปของภาพ การใช้งาน STM เป็นเทคนิคอันท้าทาย เพราะต้องใช้พื้นผิวที่สะอาดและเสถียรอย่างยิ่ง ปลายตัวนำที่แหลม การควบคุมการสั่นอย่างเยี่ยมยอด และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อันสลับซับซ้อน

อ้างอิง

  1. G. Binnig, H. Rohrer (1986). "Scanning tunneling microscopy". IBM Journal of Research and Development. 30: 4.
  2. Press release for the 1986 Nobel Prize in physics
  3. C. Bai (2000). Scanning tunneling microscopy and its applications. New York: Springer Verlag. ISBN 3540657150.
  4. 4.0 4.1 C. Julian Chen (1993). Introduction to Scanning Tunneling Microscopy (PDF). Oxford University Press. ISBN 0195071506.

หนังสืออ่านเพิ่มเติม

แหล่งข้อมูลอื่น