วงจรรวม

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
วงจรรวม

วงจรรวม หรือ วงจรเบ็ดเสร็จ (อังกฤษ: integrated circuit ; IC) หมายถึง วงจรที่นำเอาไดโอด, ทรานซิสเตอร์, ตัวต้านทาน, ตัวเก็บประจุ และองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ มาประกอบรวมกันบนแผ่นวงจรขนาดเล็ก ในปัจจุบันแผ่นวงจรนี้จะทำด้วยแผ่นซิลิคอน บางทีอาจเรียก ชิป (Chip) และสร้างองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ ฝังอยู่บนแผ่นผลึกนี้ ส่วนใหญ่เป็นชนิดที่เรียกว่า Monolithic การสร้างองค์ประกอบวงจรบนผิวผลึกนี้ จะใช้กรรมวิธีทางด้านการถ่ายภาพอย่างละเอียด ผสมกับขบวนการทางเคมีทำให้ลายวงจรมีความละเอียดสูงมาก สามารถบรรจุองค์ประกอบวงจรได้จำนวนมาก ภายในไอซี จะมีส่วนของลอจิกมากมาย ในบรรดาวงจรเบ็ดเสร็จที่ซับซ้อนสูง เช่น ไมโครโปรเซสเซอร์ ซึ่งใช้ทำงานควบคุม คอมพิวเตอร์ จนถึงโทรศัพท์มือถือ แม้กระทั่งเตาอบไมโครเวฟแบบดิจิทัล สำหรับชิปหน่วยความจำ (RAM) เป็นอีกประเภทหนึ่งของวงจรเบ็ดเสร็จ ที่มีความสำคัญมากในยุคปัจจุบัน

ประวัติไอซี[แก้]

ไอซี กำเนิดขึ้นโดย Geoffrey W.A. Dummer นักวิทยาศาสตร์เรดาร์จากอังกฤษ ต่อมาได้ย้ายไปทำการค้นคว้าต่อที่สหรัฐอเมริกา โดยสามารถสร้างไอซีจากเซรามิกส์ตัวแรกได้ในปี ค.ศ. 1956 แต่ยังไม่ประสบผลสำเร็จนัก ต่อมาในปี ค.ศ. 1957 กองทัพสหรัฐอเมริกานำโดยแจ็ก คิลบีได้ทำการค้นคว้าทดลองต่อ ในวันที่ 6 กุมภาพันธ์ ค.ศ. 1959 คิลบีได้จดสิทธิบัตรไอซีที่ทำจากเจอร์มาเนียม และในพัฒนาการสุดท้ายของไอซี โรเบิร์ต นอยซ์ได้จดสิทธิบัตรไอซีที่ทำจากซิลิคอน ในวันที่ 25 เมษายน ค.ศ. 1961 ชิบอีซีบัญอีซี

ประเภทของไอซีแบ่งตามจำนวนเกท[แก้]

จำนวนของเกทต่อไอซีจะกำหนดประเภทของไอซี (IC) 1 เกท เท่ากับ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ 1 ชิ้น

- ขนาด SSI (Small Scale Integration) จะมีตั้งแต่ 1 ถึง 10 เกท

- ขนาด MSI (medium scale integration) จะมีตั้งแต่ 10 ถึง 100 เกท

- ขนาด LSI (large scale integration) จะมีตั้งแต่ 100 ถึง 10,000 เกท

- ขนาด VLSI (Very large scale integration ) จะมีตั้งแต่ 100,000 ถึง 10,000,000 เกท

- ขนาด ULSI (Ultra-Large Scale Integration) จะมีตั้งแต่ 1,000,000 เกทขึ้นไป

  • ส่วนมากใช้เรียกไอซีที่มีจำนวนเกทสูงมากในประเทศญี่ปุ่น

กระบวนการผลิต IC (มีขา)[แก้]

DC 
Dicing คือกระบวนการนำแผ่น Wafer มาตัดออกเป็นตัว Chip
DB 
Die bond คือกระบวนการที่นำตัวชิป ไปติดลงบนลีดเฟรมด้วยกาว
WB 
Wire bond คือกระบวนการเชื่อมลวดทองคำ จากวงจรบนชิปไปสู่ขานองลีดเฟรม
MP 
Mold คือกระบวนการห่อหุ้มตัวชิปด้วย Resin หลังจากที่ได้ผ่านการเชื่อมลวดทองเรียบร้อยแล้ว
PL 
Plating คือกระบวนการเคลือบ แผ่นเฟรมซึ่งจะกลายเป็นขาตัวงาน ด้วยตะกั่วหรือดีบุก
FL 
Form Lead คือกระบวนการตัดตัว IC ออกจากเฟรม และขึ้นรูปขางานตามแบบที่กำหนด
FT 
Final Test คือกระบวนการทดสอบทางไฟฟ้าขั้นสุดท้าย
TP 
ความหมายของคำศัพท์
TP 
ความหมายของคำศัพท์

กระบวนการผลิต IC (ไม่มีมีขา)[แก้]

DG 
Dicing คือ การตัด IC ออกจากแผ่น IC รวม (Wafer) แยกเป็นแต่ละชิ้น
DB 
Die bond คือกระบวนการที่นำตัวชิป ไปติดลงบนลีดเฟรมด้วยกาว epoxy
WB 
Wire bond คือกระบวนการเชื่อมลวดทองคำ จากวงจรบนชิปไปสู่ลีดเฟรม
MO 
Mold คือกระบวนการห่อหุ้มตัวชิปด้วยพลาสติก หลังจากที่ได้ผ่านการเชื่อมลวดทองเรียบร้อยแล้ว
CU 
Post Mold Cure คือการนำ IC ไปอบด้วยความร้อน เพื่อลดความเครียดในชิ้นงาน
MK 
Marking คือ การใช้แสงเลเซอร์ ยิงไปบน IC เพื่อสลักเป็นชื่อ, รุ่น หรือ Lot ของ IC
BA 
Ball Attach คือ การติดลูกบอลตะกั่วลงบนบริเวณตำแหน่งที่จะทำการเชื่อมต่อกับแผงวงจร
BS 
Board Separate คือ การตัดแบ่ง IC แต่ละชิ้นแยกออกจากกัน
PS 
Package Sort คือ การนำ IC ที่ตัดแบ่งแล้ว แยกแต่ละชิ้นใส่ package

แหล่งข้อมูลอื่น[แก้]