ซิลิคอนไนไตรด์

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
ซิลิคอนไนไตรด์

Sintered silicon nitride ceramic
ชื่อ
Preferred IUPAC name
Silicon nitride
ชื่ออื่น
Nierite
เลขทะเบียน
3D model (JSmol)
เคมสไปเดอร์
ECHA InfoCard 100.031.620 แก้ไขสิ่งนี้ที่วิกิสนเทศ
EC Number
  • 234-796-8
MeSH Silicon+nitride
  • InChI=1S/N4Si3/c1-5-2-6(1)3(5)7(1,2)4(5)6 checkY
    Key: HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N checkY
  • InChI=1S/N4Si3/c1-5-2-6(1)3(5)7(1,2)4(5)6
    Key: HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N
  • InChI=1/N4Si3/c1-5-2-6(1)3(5)7(1,2)4(5)6
    Key: HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYAJ
  • N13[Si]25N4[Si]16N2[Si]34N56
คุณสมบัติ
Si3N4
มวลโมเลกุล 140.283 g·mol−1
ลักษณะทางกายภาพ grey, odorless powder[1]
ความหนาแน่น 3.17 g/cm3[1]
จุดหลอมเหลว 1,900 องศาเซลเซียส (3,450 องศาฟาเรนไฮต์; 2,170 เคลวิน)[1] (decomposes)
Insoluble[1]
2.016[2]
ความอันตราย
อาชีวอนามัยและความปลอดภัย (OHS/OSH):
อันตรายหลัก
When heated to decomposition, silicon nitride may emit toxic fumes of ammonia and ozone. Contact with acids may generate flammable hydrogen gas.[3]
สารประกอบอื่นที่เกี่ยวข้องกัน
แอนไอออนอื่น ๆ
silicon carbide, silicon dioxide
แคทไอออนอื่น ๆ
boron nitride
หากมิได้ระบุเป็นอื่น ข้อมูลข้างต้นนี้คือข้อมูลสาร ณ ภาวะมาตรฐานที่ 25 °C, 100 kPa

ซิลิคอนไนไตรด์ (Silicon nitride) เป็นสารประกอบทางเคมีระหว่างซิลิคอนและไนโตรเจน โดย Si3N4 เป็นซิลิคอนนิวไตรด์ที่เสถียรทางอุณหพลศาสตร์มากที่สุด ทำให้ Si3N4 ถือว่าเป็นซิลิคอนไนไตรด์ที่จำเป็นที่สุดในเชิงพาณิชย์[4] "ซิลิคอนไนไตรด์" มักจะหมายถึง Si3N4 ซิลิคอนไนไตรด์เป็นของแข็งที่มีจุดหลอมเหลวสูงและค่อนข้างเฉื่อยในการทำปฏิกิริยาทางเคมี และแข็งมาก (8.5 ในมาตราโมส) และเสถียรต่อความร้อนสูง

อ้างอิง[แก้]

  1. 1.0 1.1 1.2 1.3 Haynes, William M., บ.ก. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). CRC Press. p. 4.88. ISBN 1439855110.
  2. Refractive index database. refractiveindex.info
  3. ITEM # SI-501, SILICON NITRIDE POWDER MSDS เก็บถาวร 2014-06-06 ที่ เวย์แบ็กแมชชีน. metal-powders-compounds.micronmetals.com
  4. Mellor, Joseph William (1947). A Comprehensive Treatise on Inorganic and Theoretical Chemistry. Vol. 8. Longmans, Green and Co. pp. 115–7. OCLC 493750289.