DDR3 SDRAM

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
บทความนี้มีชื่อเป็นภาษาอังกฤษ เนื่องจากยังไม่มีชื่อภาษาไทยที่กระชับ เหมาะสม หรือไม่รู้วิธีอ่านในภาษาไทย

หน่วยความจำเข้าถึงข้อมูลโดยสุ่มแบบพลวัตซิงโครนัสที่มีอัตราข้อมูลสองเท่ารุ่นที่สาม หรือ DDR3 SDRAM (อังกฤษ: Double data rate type three synchronous dynamic random-access memory, DDR3 SDRAM) เป็นวิวัฒนาการยุคถัดไปของเทคโนโลยีหน่วยความจำ DDR2 SDRAM และ DDR SDRAM รุ่นเก่า ซึ่งจะขจัดอุปสรรคเรื่องอัตราการส่งข้อมูลของหน่วยความจำ เพื่อข้ามสู่ความถี่สัญญาณนาฬิการะดับจิกะเฮิร์ซ DDR3 เป็นเทคโนโลยีมาตรฐานอุตสาหกรรมที่ JEDEC ซึ่งเป็นองค์กรกำหนดมาตรฐานเซมิคอนดักเตอร์ของ Electronic Industries Alliance (EIA)

หน่วยความจำ DDR3 มีความถี่สัญญาณนาฬิกา และมีแบนด์วิทสำหรับส่งข้อมูลมากขึ้น ใช้แรงดันไฟฟ้าและกินไฟน้อยลงย่อมส่งผลให้หน่วยความจำผลิตความร้อนน้อยลงด้วย หน่วยความจำ DDR3 ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรม ให้สามารถรองรับโปรเซสเซอร์สี่แกนในยุคถัดไป ซึ่งต้องใช้แบนด์วิทสำหรับข้อมูลสูงเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพในการทำงานให้ดีขึ้น หน่วยความจำ DDR3 มีหลายระดับความถี่สัญญาณนาฬิกาดังนี้ 1066 MHz, 1333 MHz และ 1600 MHz

ชิป DDR3[แก้]

มีลักษณะภายในแตกต่างจากชิปหน่วยความจำ DDR2 อีกด้วย เช่น ชิปหน่วยความจำ DDR3 มีคุณสมบัติดังนี้:

  • ทำงานที่แรงดันไฟฟ้า 1.5 โวลต์ ทำให้ใช้พลังงานลดลงประมาณ 30% จึงทำให้ผลิตความร้อนน้อยลงด้วย เมื่อเทียบกับ DDR2
  • ประสิทธิภาพในการทำงานมากขึ้น ช่วยปรับปรุงการทำงานของหน่วยความจำ เพิ่มประสิทธิภาพ และไทม์มิ่งมาร์จิน
  • ชิปมีขนาด 4 จิกะบิต ช่วยให้มีหน่วยความจำได้สูงถึง 16GB หรือใหญ่กว่านั้น

แบนด์วิดท์ของ DDR3[แก้]

ข้อมูลจำเพาะสำหรับหน่วยความจำ DDR3 ได้รับการพัฒนาและอนุมัติจาก JEDEC การกำหนดชื่อของ DDR3 เหมือนกับ DDR2 และ DDR ระบบที่มีหน่วยความจำสองช่องสัญญาณ จะมีแบนด์วิดท์กว้างเป็นสองเท่า และจะมีขนาดแบนด์วิดท์กว้างสุดถึง 17 จิกะไบต์ต่อวินาที ในระบบที่ใช้ PC3-8500